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SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIZF906ADT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIZF906ADT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET DUAL N-CHAN 30V
Hersteller Vishay Siliconix
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SIZF906ADT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIZF906ADT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIZF906ADT-T1-GE3, SIZF906ADT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 245,71 KB)
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SIZF906ADT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET® Gen IV
FET-Typ2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Leistung - max4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-PowerPair® (6x5)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

8-SO

SI5906DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Leistung - max

10.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

SP8K3FU6TB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

NX138BKSX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

210mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Leistung - max

320mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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6-TSSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A, 22A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 15V

Leistung - max

1W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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