SIZF916DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZF916DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZF916DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH DUAL 30V |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.832 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIZF916DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZF916DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZF916DT-T1-GE3, SIZF916DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZF916DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Ta), 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
| Leistung - max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® (6x5) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A, 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 10V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
