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SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G

Nur als Referenz

Teilenummer SMMBFJ175LT1G
PNEDA Teilenummer SMMBFJ175LT1G
Beschreibung TRANS JFET P-CH 30V SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SMMBFJ175LT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSMMBFJ175LT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
SMMBFJ175LT1G, SMMBFJ175LT1G Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 169,49 KB)
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SMMBFJ175LT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id3V @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds11pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)125 Ohms
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

8V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

15V

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

32mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

700mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59-3/CP3

TF408-3-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

10mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

180mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

30mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-USFP

MX2N4391

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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