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SMMUN2211LT3G

SMMUN2211LT3G

Nur als Referenz

Teilenummer SMMUN2211LT3G
PNEDA Teilenummer SMMUN2211LT3G
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 94.392
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SMMUN2211LT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSMMUN2211LT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
SMMUN2211LT3G, SMMUN2211LT3G Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 372,21 KB)
PDFSMUN2211T3G Datenblatt Cover
SMUN2211T3G Datenblatt Seite 2 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 3 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 4 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 5 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 6 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 7 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 8 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 9 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 10 SMUN2211T3G Datenblatt Seite 11

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SMMUN2211LT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max246mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

FJV4111RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

DTA114EU3T106

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased + Diode

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

UMT3

BCR142WH6327XTSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

DTC014EMT2L

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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