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SPI47N10

SPI47N10

Nur als Referenz

Teilenummer SPI47N10
PNEDA Teilenummer SPI47N10
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.682
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SPI47N10 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSPI47N10
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SPI47N10, SPI47N10 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 106,78 KB)
PDFSPP47N10 Datenblatt Cover
SPP47N10 Datenblatt Seite 2 SPP47N10 Datenblatt Seite 3 SPP47N10 Datenblatt Seite 4 SPP47N10 Datenblatt Seite 5 SPP47N10 Datenblatt Seite 6 SPP47N10 Datenblatt Seite 7 SPP47N10 Datenblatt Seite 8

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SPI47N10 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieSIPMOS®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)175W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO262-3-1
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTMS4503NR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

28V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

930mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN55D0UT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-523

Paket / Fall

SOT-523

CSD25484F4T

Texas Instruments

Hersteller

Serie

FemtoFET™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 500mA, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.42nC @ 4.5V

Vgs (Max)

-12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-PICOSTAR

Paket / Fall

3-XFDFN

IRF3707ZLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

57W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI120N06S4H1AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3-1

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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