SQ2303ES-T1_GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SQ2303ES-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQ2303ES-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CHAN 30V SOT23 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 91.296 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 7 - Jul 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SQ2303ES-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SQ2303ES-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SQ2303ES-T1_GE3, SQ2303ES-T1_GE3 Datenblatt
(Total Pages: 10, Größe: 222,32 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SQ2303ES-T1_GE3 Datasheet
- where to find SQ2303ES-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_GE3
- SQ2303ES-T1_GE3 PDF Datasheet
- SQ2303ES-T1_GE3 Stock
- SQ2303ES-T1_GE3 Pinout
- Datasheet SQ2303ES-T1_GE3
- SQ2303ES-T1_GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SQ2303ES-T1_GE3 Price
- SQ2303ES-T1_GE3 Distributor
SQ2303ES-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.9W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236 (SOT-23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 38.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 10V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263HV Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVI FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UFM Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSO8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
