Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQ4937EY-T1_GE3

SQ4937EY-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQ4937EY-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQ4937EY-T1_GE3
Beschreibung MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 23.922
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQ4937EY-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQ4937EY-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQ4937EY-T1_GE3, SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 181,81 KB)
PDFSQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Cover
SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 2 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 3 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 4 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 5 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 6 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 7 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 8 SQ4937EY-T1_GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQ4937EY-T1_GE3 Datasheet
  • where to find SQ4937EY-T1_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_GE3
  • SQ4937EY-T1_GE3 PDF Datasheet
  • SQ4937EY-T1_GE3 Stock

  • SQ4937EY-T1_GE3 Pinout
  • Datasheet SQ4937EY-T1_GE3
  • SQ4937EY-T1_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQ4937EY-T1_GE3 Price
  • SQ4937EY-T1_GE3 Distributor

SQ4937EY-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 25V
Leistung - max3.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTMD3P03R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 24V

Leistung - max

730mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Leistung - max

150W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

EMH2408-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

IRF7301TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

UP04979G0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V, 30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F2

Kürzlich verkauft

CM453232-1R5KL

CM453232-1R5KL

Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

T491C107K016AT

T491C107K016AT

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2312

FAN7392N

FAN7392N

ON Semiconductor

IC GATE DVR MONO HI/LO 14DIP

MC33161PG

MC33161PG

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8DIP

TL072ID

TL072ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

B39162B4300F210

B39162B4300F210

Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD

ADM3202ARUZ

ADM3202ARUZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC