Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQJ200EP-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQJ200EP-T1_GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.310
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQJ200EP-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQJ200EP-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SQJ200EP-T1_GE3, SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 352,33 KB)
PDFSQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Cover
SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 2 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 3 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 4 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 5 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 6 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 7 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 8 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 9 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 10 SQJ200EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQJ200EP-T1_GE3 Datasheet
  • where to find SQJ200EP-T1_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3
  • SQJ200EP-T1_GE3 PDF Datasheet
  • SQJ200EP-T1_GE3 Stock

  • SQJ200EP-T1_GE3 Pinout
  • Datasheet SQJ200EP-T1_GE3
  • SQJ200EP-T1_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQJ200EP-T1_GE3 Price
  • SQJ200EP-T1_GE3 Distributor

SQJ200EP-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds975pF @ 10V
Leistung - max27W, 48W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIF902EDZ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 2x5

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® (2x5)

SI7945DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

AO4822L_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

CCS020M12CM2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61.5nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 800V

Leistung - max

167W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRF5810TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Kürzlich verkauft

MCP23017-E/SO

MCP23017-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SOIC

0451015.MRL

0451015.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

SMBJ45A-E3/52

SMBJ45A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 45V 72.7V DO214AA

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

MMBZ5254B

MMBZ5254B

ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 350MW SOT23-3

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

AT24C256C-SSHL-T

AT24C256C-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

1N4007G

1N4007G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA