Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQS481ENW-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQS481ENW-T1_GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 27.858
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQS481ENW-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQS481ENW-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SQS481ENW-T1_GE3, SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 236,61 KB)
PDFSQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Cover
SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 2 SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 3 SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 4 SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 5 SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 6 SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 7 SQS481ENW-T1_GE3 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQS481ENW-T1_GE3 Datasheet
  • where to find SQS481ENW-T1_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQS481ENW-T1_GE3
  • SQS481ENW-T1_GE3 PDF Datasheet
  • SQS481ENW-T1_GE3 Stock

  • SQS481ENW-T1_GE3 Pinout
  • Datasheet SQS481ENW-T1_GE3
  • SQS481ENW-T1_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQS481ENW-T1_GE3 Price
  • SQS481ENW-T1_GE3 Distributor

SQS481ENW-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.095Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds385pF @ 75V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)62.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8
Paket / FallPowerPAK® 1212-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

GP2M007A065HG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1072pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

BSO4420T

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.7nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2213pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

GP2M004A060CG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

86.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOY66923

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.5A (Ta), 58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.2W (Ta), 73W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251B

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

IRFU4105ZPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

MMSZ4V7T1G

MMSZ4V7T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

M74VHC1G125DFT2G

M74VHC1G125DFT2G

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

1-1825027-7

1-1825027-7

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

219-2MSTR

219-2MSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

MBRA210LT3G

MBRA210LT3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA

MAX1044ESA+

MAX1044ESA+

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP INV 20MA 8SOIC

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

ADM232AARN

ADM232AARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC