SS12P3LHM3/87A
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| Teilenummer | SS12P3LHM3/87A |
| PNEDA Teilenummer | SS12P3LHM3-87A |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277A |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SS12P3LHM3/87A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SS12P3LHM3/87A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SS12P3LHM3/87A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 560mV @ 12A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1mA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | 930pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 317pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252-2L (DPAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AA, DO-27, Axial Lieferantengerätepaket GP20 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/554 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 54A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 50A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 3000pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
