SS32HE3/57T
Nur als Referenz
| Teilenummer | SS32HE3/57T |
| PNEDA Teilenummer | SS32HE3-57T |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SS32HE3/57T Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SS32HE3/57T |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SS32HE3/57T Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 125°C |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 1.9ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 3.5µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0201 (0603 Metric) Lieferantengerätepaket DSN0603-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 400mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 400mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200nA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 11pF @ 12V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 330A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.22V @ 942A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 15mA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 117pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 780mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 90pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
