SSM2212RZ-R7
Nur als Referenz
| Teilenummer | SSM2212RZ-R7 |
| PNEDA Teilenummer | SSM2212RZ-R7 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC |
| Hersteller | Analog Devices |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 49.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM2212RZ-R7 Ressourcen
| Marke | Analog Devices |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM2212RZ-R7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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SSM2212RZ-R7 Technische Daten
| Hersteller | Analog Devices Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100µA, 1mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500pA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max 2.25W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 18-DIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |
