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SSM3J143TU,LF

SSM3J143TU,LF

Nur als Referenz

Teilenummer SSM3J143TU,LF
PNEDA Teilenummer SSM3J143TU-LF
Beschreibung SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 21.612
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SSM3J143TU Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM3J143TU,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SSM3J143TU Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVI
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)+6V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds840pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketUFM
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads

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NVMFS6H824NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Ta), 103A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 140µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2470pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

IRF7456TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI3457DV

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMTH4007SPSQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.7A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2082pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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STW40N60M2-4

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Hersteller

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Serie

MDmesh™ II Plus

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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