SSM3K17FU,LF
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| Teilenummer | SSM3K17FU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM3K17FU-LF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 50V 0.1A USM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM3K17FU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3K17FU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3K17FU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | π-MOSV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±7V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | USM |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVIII FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P(N) Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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