Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SSM3K339R,LF

SSM3K339R,LF

Nur als Referenz

Teilenummer SSM3K339R,LF
PNEDA Teilenummer SSM3K339R-LF
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 780.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 11 - Jul 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSM3K339R Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM3K339R,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SSM3K339R,LF Datasheet
  • where to find SSM3K339R,LF
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R,LF
  • SSM3K339R,LF PDF Datasheet
  • SSM3K339R,LF Stock

  • SSM3K339R,LF Pinout
  • Datasheet SSM3K339R,LF
  • SSM3K339R,LF Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • SSM3K339R,LF Price
  • SSM3K339R,LF Distributor

SSM3K339R Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVII-H
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1nC @ 4.2V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds130pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23F
Paket / FallSOT-23-3 Flat Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STD70N03L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDMA7632

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

IPW90R120C3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

417W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

AUIRLS3036-7P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 180A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11270pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK (7-Lead)

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

FDH50N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

137nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6460pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

SDF DF128S

SDF DF128S

Cantherm

TCO 250VAC 10A 128C(262F) AXIAL

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

AD7495AR

AD7495AR

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 8SOIC

ATSAMS70N20A-CFN

ATSAMS70N20A-CFN

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100VFBGA

PIC18F1230-I/SO

PIC18F1230-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

CY2305CSXI-1H

CY2305CSXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

ABM8-25.000MHZ-B2-T

ABM8-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

1206L110THYR

1206L110THYR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 8V 1.1A 1206

FDD8880

FDD8880

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

APXH200ARA470MH70G

APXH200ARA470MH70G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD