Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SSM5H12TU(TE85L,F)

SSM5H12TU(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer SSM5H12TU(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer SSM5H12TU-TE85L-F
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSM5H12TU(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM5H12TU(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SSM5H12TU(TE85L,F) Datasheet
  • where to find SSM5H12TU(TE85L,F)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F)
  • SSM5H12TU(TE85L,F) PDF Datasheet
  • SSM5H12TU(TE85L,F) Stock

  • SSM5H12TU(TE85L,F) Pinout
  • Datasheet SSM5H12TU(TE85L,F)
  • SSM5H12TU(TE85L,F) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • SSM5H12TU(TE85L,F) Price
  • SSM5H12TU(TE85L,F) Distributor

SSM5H12TU(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSIII
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs133mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 4V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds123pF @ 15V
FET-FunktionSchottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketUFV
Paket / Fall6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7322D1TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IXTF03N400

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

4000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

IPW60R075CPFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

116nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

313W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

JAN2N6770T1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

SIHG25N40D-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1707pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

278W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

TXH 120-112

TXH 120-112

Traco Power

AC/DC CONVERTER 12V 120W

3362W-1-103

3362W-1-103

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN SIDE

HCPL-060L-000E

HCPL-060L-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

IS25CQ032-JBLE

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

BZV55C5V1

BZV55C5V1

Microsemi

DIODE ZENER 5.1V DO213AA

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

3224W-1-105E

3224W-1-105E

Bourns

TRIMMER 1M OHM 0.25W J LEAD TOP

AO3407A

AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

SMBJ12CA-TR

SMBJ12CA-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 12V 25.3V SMB

CRA2512-FZ-R020ELF

CRA2512-FZ-R020ELF

Bourns

RES 0.02 OHM 1% 3W 2512

LT1118CST-2.5#TRPBF

LT1118CST-2.5#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 800MA SOT223-3