SSM6J801R,LF
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| Teilenummer | SSM6J801R,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6J801R-LF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.494 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6J801R Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6J801R,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM6J801R Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +6V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP-F |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 36A (Ta), 254A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 273nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20720pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-Dual Cool™88 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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