SSM6N58NU,LF
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| Teilenummer | SSM6N58NU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6N58NU-LF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 178.158 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6N58NU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6N58NU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SSM6N58NU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 129pF @ 15V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFN (2x2) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
