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SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6N7002BFE,LM
PNEDA Teilenummer SSM6N7002BFE-LM
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SSM6N7002BFE Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6N7002BFE,LM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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SSM6N7002BFE Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds17pF @ 25V
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketES6

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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Leistung - max

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