SSM6N815R,LF
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| Teilenummer | SSM6N815R,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6N815R-LF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.048 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6N815R Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6N815R,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SSM6N815R Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP-F |
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