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SST39LF040-45-4C-B3KE

SST39LF040-45-4C-B3KE

Nur als Referenz

Teilenummer SST39LF040-45-4C-B3KE
PNEDA Teilenummer SST39LF040-45-4C-B3KE
Beschreibung IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller Microchip Technology
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SST39LF040-45-4C-B3KE Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST39LF040-45-4C-B3KE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
SST39LF040-45-4C-B3KE, SST39LF040-45-4C-B3KE Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 412,24 KB)
PDFSST39LF040-45-4C-NHE-T Datenblatt Cover
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SST39LF040-45-4C-B3KE Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite20µs
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

48-VFBGA (6x8)

GD25LD80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Dual I/O

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60µs, 6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MT41K256M16HA-125 M AIT:E

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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