SST4416-T1-E3
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| Teilenummer | SST4416-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SST4416-T1-E3 |
| Beschreibung | JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SST4416-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SST4416-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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SST4416-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 3V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.2pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 350mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AA (TO-18) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 200 Ohms Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SMCP |
