STB21NM50N-1
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| Teilenummer | STB21NM50N-1 |
| PNEDA Teilenummer | STB21NM50N-1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.360 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STB21NM50N-1 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STB21NM50N-1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STB21NM50N-1 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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