STD10NM65N
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| Teilenummer | STD10NM65N |
| PNEDA Teilenummer | STD10NM65N |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STD10NM65N Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STD10NM65N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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STD10NM65N Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
