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STD5N62K3

STD5N62K3

Nur als Referenz

Teilenummer STD5N62K3
PNEDA Teilenummer STD5N62K3
Beschreibung MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.706
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD5N62K3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD5N62K3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD5N62K3, STD5N62K3 Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 584,14 KB)
PDFSTB5N62K3 Datenblatt Cover
STB5N62K3 Datenblatt Seite 2 STB5N62K3 Datenblatt Seite 3 STB5N62K3 Datenblatt Seite 4 STB5N62K3 Datenblatt Seite 5 STB5N62K3 Datenblatt Seite 6 STB5N62K3 Datenblatt Seite 7 STB5N62K3 Datenblatt Seite 8 STB5N62K3 Datenblatt Seite 9 STB5N62K3 Datenblatt Seite 10 STB5N62K3 Datenblatt Seite 11

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STD5N62K3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)620V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)70W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FDMC4435BZ-F126

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A (Ta), 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2045pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

FQA27N25

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

NTLUS4195PZTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (1.6x1.6)

Paket / Fall

6-PowerUFDFN

IPD80R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF3707STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

62A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

87W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

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