STF23NM60ND
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| Teilenummer | STF23NM60ND |
| PNEDA Teilenummer | STF23NM60ND |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220FP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STF23NM60ND Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STF23NM60ND |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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STF23NM60ND Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | FDmesh™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
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