STGB18N40LZT4
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| Teilenummer | STGB18N40LZT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB18N40LZT4 |
| Beschreibung | IGBT 420V 30A 150W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.080 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB18N40LZT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB18N40LZT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB18N40LZT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 420V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 29nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 650ns/13.5µs |
| Testbedingung | 300V, 10A, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 130µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/29ns Testbedingung 400V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 5A Leistung - max 88W Schaltenergie 56µJ (on), 78.5µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/140ns Testbedingung 400V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 134.5ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 20µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/84ns Testbedingung 400V, 8A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 180µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 262ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5µs Testbedingung 300V, 9A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
