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STGB30V60DF

STGB30V60DF

Nur als Referenz

Teilenummer STGB30V60DF
PNEDA Teilenummer STGB30V60DF
Beschreibung IGBT 600V 60A 258W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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STGB30V60DF Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB30V60DF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB30V60DF, STGB30V60DF Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.911,95 KB)
PDFSTGW30V60DF Datenblatt Cover
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STGB30V60DF Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
Leistung - max258W
Schaltenergie383µJ (on), 233µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge163nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/189ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)53ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/112ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT25GR120BD15

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGP4750DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGB35N35LZ-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

345V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

Leistung - max

176W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/26.5µs

Testbedingung

300V, 15A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.3mJ (off)

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Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/130ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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