STGB35N35LZT4
Nur als Referenz
Teilenummer | STGB35N35LZT4 |
PNEDA Teilenummer | STGB35N35LZT4 |
Beschreibung | IGBT 345V 40A 176W D2PAK |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.118 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
STGB35N35LZT4 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STGB35N35LZT4 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STGB35N35LZT4 Datasheet
- where to find STGB35N35LZT4
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STGB35N35LZT4
- STGB35N35LZT4 PDF Datasheet
- STGB35N35LZT4 Stock
- STGB35N35LZT4 Pinout
- Datasheet STGB35N35LZT4
- STGB35N35LZT4 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STGB35N35LZT4 Price
- STGB35N35LZT4 Distributor
STGB35N35LZT4 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | PowerMESH™ |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 345V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 15A |
Leistung - max | 176W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Logic |
Gate Charge | 49nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 1.1µs/26.5µs |
Testbedingung | 300V, 15A, 5V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 120A Leistung - max 660W Schaltenergie 2.4mJ (on), 5.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/200ns Testbedingung 480V, 100A, 2.4Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max 70W Schaltenergie 70µJ (on), 30µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/115ns Testbedingung 400V, 4A, 48Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A Leistung - max 178.5W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie 2.4mJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.3µs/8µs Testbedingung 328V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |