STGB3NB60SDT4
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| Teilenummer | STGB3NB60SDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB3NB60SDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 70W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB3NB60SDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB3NB60SDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB3NB60SDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 25A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 70W |
| Schaltenergie | 1.15mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 125ns/3.4µs |
| Testbedingung | 480V, 3A, 1kOhm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7µs |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 498µJ (on), 363µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/142ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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