STGD3HF60HDT4
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| Teilenummer | STGD3HF60HDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGD3HF60HDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 7.5A 38W DPAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.776 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGD3HF60HDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGD3HF60HDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGD3HF60HDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 7.5A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.95V @ 15V, 1.5A |
| Leistung - max | 38W |
| Schaltenergie | 19µJ (on), 12µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 11ns/60ns |
| Testbedingung | 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 375V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 5V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 28.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/15µs Testbedingung 300V, 10A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.95V @ 15V, 1.5A Leistung - max 38W Schaltenergie 19µJ (on), 12µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/60ns Testbedingung 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max 63W Schaltenergie 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/100ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 93ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 10A Leistung - max 40W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/145ns Testbedingung 300V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-3FS |
