Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STGD7NB120S-1

STGD7NB120S-1

Nur als Referenz

Teilenummer STGD7NB120S-1
PNEDA Teilenummer STGD7NB120S-1
Beschreibung IGBT 1200V 10A 55W IPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGD7NB120S-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD7NB120S-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD7NB120S-1, STGD7NB120S-1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 120,9 KB)
PDFSTGD7NB120S-1 Datenblatt Cover
STGD7NB120S-1 Datenblatt Seite 2 STGD7NB120S-1 Datenblatt Seite 3 STGD7NB120S-1 Datenblatt Seite 4 STGD7NB120S-1 Datenblatt Seite 5 STGD7NB120S-1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STGD7NB120S-1 Datasheet
  • where to find STGD7NB120S-1
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STGD7NB120S-1
  • STGD7NB120S-1 PDF Datasheet
  • STGD7NB120S-1 Stock

  • STGD7NB120S-1 Pinout
  • Datasheet STGD7NB120S-1
  • STGD7NB120S-1 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STGD7NB120S-1 Price
  • STGD7NB120S-1 Distributor

STGD7NB120S-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 7A
Leistung - max55W
Schaltenergie15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.570ns/-
Testbedingung960V, 7A, 1kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
LieferantengerätepaketI-PAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NGTG15N60S1EG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

117W

Schaltenergie

550µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

RJH60F5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

Leistung - max

260.4W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRG4PSC71KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

790µJ (on), 1.98mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/54ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

223A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/160ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

NGTB25N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

385W

Schaltenergie

1.95mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

178nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

87ns/179ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

154ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

STW6N95K5

STW6N95K5

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 950V 9A TO-274

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

CY14B256KA-SP25XI

CY14B256KA-SP25XI

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP

PIC18F46K22-I/PT

PIC18F46K22-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

0402N471F500CT

0402N471F500CT

Walsin Technology

CAP CER 470PF 50V C0G/NP0 0402

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

FDC5614P

FDC5614P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

Z8F1621AN020SG

Z8F1621AN020SG

Zilog

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 44QFP

G8QE-1A DC12

G8QE-1A DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY AUTOMOTIVE SPST 10A 12V

CS240610

CS240610

Powerex Inc.

DIODE GP 600V 100A POWRBLOK

R5F21335CNFP#30

R5F21335CNFP#30

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 24KB FLASH 32LQFP

NR6028T100M

NR6028T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 1.9A 84.5 MOHM