STGP10NB60SFP
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| Teilenummer | STGP10NB60SFP |
| PNEDA Teilenummer | STGP10NB60SFP |
| Beschreibung | IGBT 600V 23A 25W TO220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.424 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGP10NB60SFP Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGP10NB60SFP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGP10NB60SFP Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 25W |
| Schaltenergie | 600µJ (on), 5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 33nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 700ns/1.2µs |
| Testbedingung | 480V, 10A, 1kOhm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max 62W Schaltenergie 220µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/260ns Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 11A Leistung - max 60W Schaltenergie 410µJ (on), 2.03mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 39nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/463ns Testbedingung 480V, 11A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 4V, 10A Leistung - max 107W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4µs Testbedingung 300V, 6.5A, 1kOhm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 72W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/143ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 225ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
