STGP19NC60SD
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| Teilenummer | STGP19NC60SD |
| PNEDA Teilenummer | STGP19NC60SD |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A 130W TO220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.220 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGP19NC60SD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGP19NC60SD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGP19NC60SD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 130W |
| Schaltenergie | 135µJ (on), 815µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 54.5nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17.5ns/175ns |
| Testbedingung | 480V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 96ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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