STGW30M65DF2
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Teilenummer | STGW30M65DF2 |
PNEDA Teilenummer | STGW30M65DF2 |
Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.744 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW30M65DF2 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STGW30M65DF2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
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STGW30M65DF2 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Leistung - max | 258W |
Schaltenergie | 300µJ (on), 960µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 80nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 31.6ns/115ns |
Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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