STGW35NB60SD
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| Teilenummer | STGW35NB60SD | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGW35NB60SD | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 200W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 7 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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STGW35NB60SD Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW35NB60SD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW35NB60SD Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 840µJ (on), 7.4mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 83nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 92ns/1.1µs |
| Testbedingung | 480V, 20A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 44ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.25mJ (on), 530µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 75ns/128ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A Leistung - max 139W Schaltenergie 150µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/52.2ns Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37.7ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 37nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 468W Schaltenergie 1.03mJ (on), 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/140ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 355ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
