STGW40M120DF3
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| Teilenummer | STGW40M120DF3 |
| PNEDA Teilenummer | STGW40M120DF3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 80A 468W TO-247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW40M120DF3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW40M120DF3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW40M120DF3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 468W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 2.25mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 125nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/140ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 355ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 3A Leistung - max 20W Schaltenergie 20µJ (on), 68µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/76ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 32A Leistung - max 300W Schaltenergie 840µJ (on), 660µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/130ns Testbedingung 480V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 60A Leistung - max 520W Schaltenergie 300µJ (on), 4.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 290nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/310ns Testbedingung 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7.2V @ 15V, 3A Leistung - max 68W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 3A, 47Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
