STGWA80H65DFB
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGWA80H65DFB | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | STGWA80H65DFB | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.304 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 19 - Jul 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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STGWA80H65DFB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWA80H65DFB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWA80H65DFB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Leistung - max | 469W |
| Schaltenergie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 414nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 84ns/280ns |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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