STGWT60H65DFB
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| Teilenummer | STGWT60H65DFB |
| PNEDA Teilenummer | STGWT60H65DFB |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.252 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGWT60H65DFB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWT60H65DFB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWT60H65DFB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 1.09mJ (on), 626µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 306nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 51ns/160ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller IXYS Serie Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 15A Leistung - max 150W Schaltenergie 850µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 73nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 960V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
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