STH272N6F7-6AG
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| Teilenummer | STH272N6F7-6AG |
| PNEDA Teilenummer | STH272N6F7-6AG |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.462 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STH272N6F7-6AG Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STH272N6F7-6AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STH272N6F7-6AG Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 333W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H2PAK-6 |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 85W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) 6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 270mW (Ta) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70-6 Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller IXYS Serie TrenchP™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3820pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
