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STI76NF75

STI76NF75

Nur als Referenz

Teilenummer STI76NF75
PNEDA Teilenummer STI76NF75
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STI76NF75 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTI76NF75
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STI76NF75, STI76NF75 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 765,25 KB)
PDFSTI76NF75 Datenblatt Cover
STI76NF75 Datenblatt Seite 2 STI76NF75 Datenblatt Seite 3 STI76NF75 Datenblatt Seite 4 STI76NF75 Datenblatt Seite 5 STI76NF75 Datenblatt Seite 6 STI76NF75 Datenblatt Seite 7 STI76NF75 Datenblatt Seite 8 STI76NF75 Datenblatt Seite 9 STI76NF75 Datenblatt Seite 10 STI76NF75 Datenblatt Seite 11

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STI76NF75 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3700pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)300W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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64-2042

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

220W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPSA70R2K0P7SAKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 400V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

17.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3-347

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NTD6600N-001

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

RSR010N10TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Paket / Fall

SC-96

IRFP460_R4943

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

2N3906BU

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TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

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Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

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PEX8603-AB50NI G

Broadcom

IC PCI EXPRESS SWITCH 136AQFN

S34ML08G101BHI000

S34ML08G101BHI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

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DC DC CONVERTER 0.8-3.6V 21W

744043101

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123

0451015.MRL

0451015.MRL

Littelfuse

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AD5624RBRMZ-3REEL7

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IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

MD918A

MD918A

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6