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STL110N10F7

STL110N10F7

Nur als Referenz

Teilenummer STL110N10F7
PNEDA Teilenummer STL110N10F7
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
Hersteller STMicroelectronics
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STL110N10F7 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL110N10F7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL110N10F7, STL110N10F7 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 701,51 KB)
PDFSTL110N10F7 Datenblatt Cover
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STL110N10F7 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.107A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5117pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)136W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)
Paket / Fall8-PowerVDFN

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DMN2026UVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.4nC @ 8V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

887pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.15W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IPB65R310CFDATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI2307CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta), 1.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.65V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7020pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 191W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.12nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Die

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