STL33N65M2
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| Teilenummer | STL33N65M2 |
| PNEDA Teilenummer | STL33N65M2 |
| Beschreibung | N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.732 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STL33N65M2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STL33N65M2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STL33N65M2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1790pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 183µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-7 Paket / Fall TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44A (Ta), 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11635pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Dual Cool™56 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller IXYS Serie PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 600W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
