STL4LN80K5
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| Teilenummer | STL4LN80K5 |
| PNEDA Teilenummer | STL4LN80K5 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.922 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STL4LN80K5 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STL4LN80K5 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STL4LN80K5 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (5x6) VHV |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) +30V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 25V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 34.7W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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