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STP22NS25Z

STP22NS25Z

Nur als Referenz

Teilenummer STP22NS25Z
PNEDA Teilenummer STP22NS25Z
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 22A TO-220
Hersteller STMicroelectronics
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STP22NS25Z Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP22NS25Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP22NS25Z, STP22NS25Z Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 316,61 KB)
PDFSTP22NS25Z Datenblatt Cover
STP22NS25Z Datenblatt Seite 2 STP22NS25Z Datenblatt Seite 3 STP22NS25Z Datenblatt Seite 4 STP22NS25Z Datenblatt Seite 5 STP22NS25Z Datenblatt Seite 6 STP22NS25Z Datenblatt Seite 7 STP22NS25Z Datenblatt Seite 8 STP22NS25Z Datenblatt Seite 9 STP22NS25Z Datenblatt Seite 10 STP22NS25Z Datenblatt Seite 11

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STP22NS25Z Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMESH OVERLAY™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs151nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)135W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

SI7469DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

BUK7E3R1-40E,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

234W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRLR8729PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

55W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4426DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

UPD70F3747GB-GAH-AX

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Renesas Electronics America

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP

LM2901DR

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IC COMPARATOR QUAD GP 14-SOIC

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

ICM7555IPA

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Maxim Integrated

IC OSC SINGLE TIMER 500KHZ 8DIP

AD7942BRMZ

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Analog Devices

IC ADC 14BIT SAR 10MSOP

NCP1055ST100T3G

NCP1055ST100T3G

ON Semiconductor

IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4

0501010.WR

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Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

MBR0540T1G

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F

VN10LP

VN10LP

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MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

CY29942AI

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IC CLK BUFFER 1:18 200MHZ 32TQFP

MMSZ5229B-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123