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STP24N60M6

STP24N60M6

Nur als Referenz

Teilenummer STP24N60M6
PNEDA Teilenummer STP24N60M6
Beschreibung NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 22
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STP24N60M6 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP24N60M6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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STP24N60M6 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ M6
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3

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FQPF3P50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9Ohm @ 950mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

39W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NTMFS5C404NLTT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

181nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12168pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

CSD18536KTT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11430pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DDPAK/TO-263-3

Paket / Fall

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

SI3483CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3890pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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