Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STP5N52K3

STP5N52K3

Nur als Referenz

Teilenummer STP5N52K3
PNEDA Teilenummer STP5N52K3
Beschreibung MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.456
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STP5N52K3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTP5N52K3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STP5N52K3, STP5N52K3 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 1.193,42 KB)
PDFSTB5N52K3 Datenblatt Cover
STB5N52K3 Datenblatt Seite 2 STB5N52K3 Datenblatt Seite 3 STB5N52K3 Datenblatt Seite 4 STB5N52K3 Datenblatt Seite 5 STB5N52K3 Datenblatt Seite 6 STB5N52K3 Datenblatt Seite 7 STB5N52K3 Datenblatt Seite 8 STB5N52K3 Datenblatt Seite 9 STB5N52K3 Datenblatt Seite 10 STB5N52K3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STP5N52K3 Datasheet
  • where to find STP5N52K3
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STP5N52K3
  • STP5N52K3 PDF Datasheet
  • STP5N52K3 Stock

  • STP5N52K3 Pinout
  • Datasheet STP5N52K3
  • STP5N52K3 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STP5N52K3 Price
  • STP5N52K3 Distributor

STP5N52K3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)525V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)70W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPB06N03LB G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2782pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTC36P15P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

Paket / Fall

ISOPLUS220™

AOTL66401

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

82A (Ta), 400A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

19180pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

8.3W (Ta), 300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TOLLA

Paket / Fall

8-PowerSFN

IPB50N12S3L15ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

NTD4857NA-1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 78A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

ABS05-32.768KHZ-T

ABS05-32.768KHZ-T

Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

AC0603FR-07100KL

AC0603FR-07100KL

Yageo

RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603

X9C503SIZT1

X9C503SIZT1

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8SOIC

FAN3111ESX

FAN3111ESX

ON Semiconductor

IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5

BYV26C-TAP

BYV26C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

74437349015

74437349015

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 8A 9 MOHM SMD

SMBJ58A

SMBJ58A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

MAX912ESE

MAX912ESE

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL HS LP 16-SOIC

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO