STP5N95K3
Nur als Referenz
| Teilenummer | STP5N95K3 |
| PNEDA Teilenummer | STP5N95K3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.442 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STP5N95K3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STP5N95K3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STP5N95K3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH3™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 38W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 218µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150mW (Ta) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket EMT3F (SOT-416FL) Paket / Fall SC-89, SOT-490 |
Hersteller Transphorm Serie - FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
