STP7NK80ZFP
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| Teilenummer | STP7NK80ZFP |
| PNEDA Teilenummer | STP7NK80ZFP |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.896 |
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STP7NK80ZFP Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STP7NK80ZFP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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STP7NK80ZFP Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | SuperMESH™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1138pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263HV Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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