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STS3DNE60L

STS3DNE60L

Nur als Referenz

Teilenummer STS3DNE60L
PNEDA Teilenummer STS3DNE60L
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.682
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 4 - Jul 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STS3DNE60L Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS3DNE60L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STS3DNE60L, STS3DNE60L Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 308,5 KB)
PDFSTS3DNE60L Datenblatt Cover
STS3DNE60L Datenblatt Seite 2 STS3DNE60L Datenblatt Seite 3 STS3DNE60L Datenblatt Seite 4 STS3DNE60L Datenblatt Seite 5 STS3DNE60L Datenblatt Seite 6 STS3DNE60L Datenblatt Seite 7 STS3DNE60L Datenblatt Seite 8

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STS3DNE60L Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds815pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 15V

Leistung - max

710mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Rohm Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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IRF9956TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

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